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IDT7200L65LB8

产品描述FIFO, 256X9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
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文件大小440KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7200L65LB8概述

FIFO, 256X9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT7200L65LB8规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间80 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度2304 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量32
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
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