2012-08-17
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
Version 1.0 (not for new design)
SFH 4283
•
•
•
•
•
•
•
•
Features:
Replacement: SFH4253
Very highly efficient GaAIAs-LED
Good Linearity (I
e
= f [I
F
]) at high currents
DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
High reliability
High pulse handling capability
Suitable for surface mounting (SMT)
SFH 4283 same package as SFH 320
•
•
•
•
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
Ersatz: SFH4253
GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearität (I
e
= f [I
F
]) bei hohen Strömen
Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb
möglich
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Oberflächenmontage geeignet
SFH 4283 Gehäusegleich mit SFH 320
Applications
•
•
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•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
•
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•
•
•
•
Anwendungen
Miniaturlichtschranken
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln”
Automobiltechnik
Sensorik
Alarm- und Sicherungssysteme
IR-Freiraumübertragung
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2012-08-17
1
Version 1.0 (not for new design)
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4283
Note:
Anm::
SFH 4283
Ordering Code
Bestellnummer
7 (≥ 4)
Q65110A2517
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
= 10
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 12
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 12
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 100
5
100
2.5
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
180
450
mW
K/W
2)
page 12
Thermal resistance junction - soldering point
R
thJS
200
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
2)
Seite 12
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2
Version 1.0 (not for new design)
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
880
SFH 4283
Unit
Einheit
nm
Δλ
80
nm
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
± 60
0.16
0.4 x 0.4
500
°
mm
2
mm x
mm
ns
C
0
25
pF
V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
V
F
2.4 (≤ 3)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
Φ
e
23
mW
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3
Version 1.0 (not for new design)
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 4283
Note:
Anm.:
SFH 4283
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.5
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-2
mV / K
TC
λ
0.25
nm / K
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, typ
[mW / sr]
7
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 25 µs
I
e, typ
[mW / sr]
48
4
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
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Version 1.0 (not for new design)
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
SFH 4283
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
60
10
0
40
10
-1
20
10
-2
0
750
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
-3
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
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5
京公网安备 11010802033920号
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