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1N4006G

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
制造商ETC2
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1N4006G概述

SILICON, SIGNAL DIODE

1N4006G相似产品对比

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描述 SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 - 2 2 2 - - 2
元件数量 - 1 1 1 - - 1
加工封装描述 - GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料, DO-41, 2 PIN - - 塑料 PACKAGE-2
状态 - ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED
包装形状 - ROUND - -
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM - - LONG FORM
端子形式 - WIRE 线 线 - - 线
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL - - AXIAL
包装材料 - PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - - 塑料/环氧树脂
结构 - SINGLE 单一的 单一的 - - 单一的
壳体连接 - ISOLATED 隔离 隔离 - - 隔离
二极管元件材料 - SILICON - -
二极管类型 - SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管
最大重复峰值反向电压 - 600 V 1000 V 50 V - - 400 V
最大平均正向电流 - 1 A 1 A 1 A - - 1 A
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