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KSC3076-I: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小29KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KSC3076-I概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3

KSC3076-I规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

KSC3076-I相似产品对比

	KSC3076-I	KSC3076-Y-I	KSC3076-O-I
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	120	70
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz

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