Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
KSC1675-O | KSC1675-R | KSC1675-Y | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 | 40 | 120 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz | 300 MHz | 300 MHz |
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