Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8180Q36D-150T

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GS8180Q36D-150T: 产品描述Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小459KB，共29页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8180Q36D-150T概述

Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165

GS8180Q36D-150T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	2.7 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

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Preliminary

GS8180Q18/36D-200/150/133/100

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• 1.8 V +150/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ mode pin for programmable output drive strength

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• Pin-compatible with future 36Mb, 72Mb, and 144Mb devices

18Mb

2x2B2

SigmaQuad SRAM

100 MHz–200 MHz

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

Bottom View

-200

tKHKH

tKHQV

5.0 ns

2.3 ns

-150

6.7 ns

2.7 ns

-133

7.5 ns

3.0 ns

-100

10.0 ns

3.0 ns

165-Bump, 13 mm x 15 mm BGA

1 mm Bump Pitch, 11 x 15 Bump Array

JEDEC Std. MO-216, Variation CAB-1

SigmaRAM™ Family Overview

GS8180Q18/36 are built in compliance with the SigmaQuad SRAM

pinout standard for Separate I/O synchronous SRAMs. They are

18,874,368-bit (18Mb) SRAMs. These are the first in a family of wide,

very low voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds

needed to implement economical high performance networking

systems.

SigmaQuad SRAMs are offered in a number of configurations. Some

emulate and enhance other synchronous separate I/O SRAMs. A

higher performance SDR (Single Data Rate) Burst of 2 version is also

offered. The logical differences between the protocols employed by

these RAMs hinge mainly on various combinations of address

bursting, output data registering, and write cueing. Along with the

Common I/O family of SigmaRAMs, the SigmaQuad family of SRAMs

allows a user to implement the interface protocol best suited to the

task at hand.

two input register clock inputs, K and K. K and K are independent

single-ended clock inputs, not differential inputs to a single differential

clock input buffer. The device also allows the user to manipulate the

output register clock inputs quasi independently with the C and C

clock inputs. C and C are also independent single-ended clock inputs,

not differential inputs. If the C clocks are tied high, the K clocks are

routed internally to fire the output registers instead.

Because Separate I/O

2x2B2 RAMs always transfer data in two

packets, A0 is internally set to 0 for the first read or write transfer, and

automatically incremented by 1 for the next transfer. Because the LSB

is tied off internally, the address field of a

2x2B2 RAM is always one

address pin less than the advertised index depth (e.g., the 1M x 18

has a 512K addressable index).

Clocking and Addressing Schemes

2x2B2 SigmaQuad SRAM is a synchronous device. It employs

Rev: 2.01 3/2003

1/29

Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.

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	GS8180Q36D-150T	GS8180Q36GD-150	GS8180Q36GD-150T	GS8180Q36GD-150I	GS8180Q36GD-150IT	GS8180Q36D-150IT	GS8180Q36D-150	GS8180Q36D-150I
描述	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	Standard SRAM, 512KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, BGA-165
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e1	e1	e1	e1	e0	e0	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
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端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
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封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
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端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

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