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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PTFA041501FV4R250
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PTFA041501FV4R250

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-37248-2, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小425KB，共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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PTFA041501FV4R250概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-37248-2, 2 PIN

PTFA041501FV4R250规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

PTFA041501FV4R250文档预览

PTFA041501E
PTFA041501F
Confidential, Limited Internal Distribution
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
150 W, 420 – 500 MHz
Description
The PTFA041501E and PTFA041501F are 150-watt LDMOS FETs
designed for ultra-linear CDMA power amplifier applications.
They are available in thermally-enhanced ceramic open-cavity
packages . Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process,
these devices provide excellent thermal performance and superior
reliability.
PTFA041501E
Package H-36248-2
PTFA041501F
Package H-37248-2
Single-carrier CDMA IS-95 Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA, ƒ = 470 MHz
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
36
38
40
42
44
46
48
45
Features
•
•
Broadband internal matching
Typical CDMA performance at 470 MHz, 28 V
- Average output power = 60 W
- Linear Gain = 21 dB
- Efficiency = 41%
Typical CW performance, 470 MHz, 28 V
- Output power at P–1dB = 175 W
- Efficiency = 62%
Integrated ESD protection: Human Body Model,
Class 1 (minimum)
Excellent thermal stability
Low HCI drift
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
150 W (CW) output power
Pb-free and RoHS-compliant
Adjacent Channel Power Ratio (dB)
30
25
20
15
Drain Efficiency (%)
–15°C
25°C
90°C
Efficiency
40
35
•
•
•
•
•
•
ACPR
ALT
10
5
0
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier CDMA IS-95 Measurements
(not subject to production test—verified by design/characterization in
Infineon test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA, P
OUT
= 60 W average, ƒ = 470 MHz
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Symbol
G
ps
Min
—
—
—
Typ
21
41
–33
Max
—
—
—
Unit
dB
%
dB
η
D
ACPR
*See Infineon distributor for future availability.
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Data Sheet
1 of 11
Rev. 01.1, 2010-01-20
PTFA041501E
PTFA041501F
Confidential, Limited Internal Distribution
RF Characteristics
(cont.)
Two-tone Measurements
(tested in Infineon test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA, P
OUT
= 150 W PEP, ƒ = 470 MHz, tone spacing = 1 MHz
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Intermodulation Distortion
Symbol
G
ps
Min
20.0
45.0
—
Typ
21.0
46.5
–29
Max
—
—
–28
Unit
dB
%
dBc
η
D
IMD
DC Characteristics
Characteristic
Drain-Source Breakdown Voltage
Drain Leakage Current
On-State Resistance
Operating Gate Voltage
Gate Leakage Current
Conditions
V
GS
= 0 V, I
DS
= 10 µA
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V, I
DQ
= 900 mA
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
I
GSS
Min
65
—
—
2
—
Typ
—
—
0.07
2.48
—
Max
—
1.0
—
3
1.0
Unit
V
µA
Ω
V
µA
Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Resistance (T
CASE
= 70°C, 150 W CW)
Symbol
V
DSS
V
GS
T
J
T
STG
R
θJC
Value
65
–0.5 to +12
200
–40 to +150
0.42
Unit
V
V
°C
°C
°C/W
Ordering Information
Type and Version
PTFA041501E V4
PTFA041501E V4 R250
PTFA041501F V4
PTFA041501F V4 R250
Package Type
H-36248-2
H-36248-2
H-37248-2
H-37248-2
Package Description
Thermally-enhanced slotted flange, single-ended
Thermally-enhanced slotted flange, single-ended
Thermally-enhanced earless flange, single-ended
Thermally-enhanced earless flange, single-ended
Shipping
Tray
Tape & Reel, 250 pcs
Tray
Tape & Reel, 250 pcs
*See Infineon distributor for future availability.
Data Sheet
2 of 11
Rev. 01.1, 2010-01-20
PTFA041501E
PTFA041501F
Confidential, Limited Internal Distribution
Typical Performance
(data taken in a production test fixture)
Broadband Circuit Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA, P
OUT
= 80 W
50
45
-13
P
OUT
, Gain & Efficiency (at P-1dB) vs. Frequency
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA
65
20.9
Efficiency (%), Output Power (dBm)
Gain (dB), Efficiency (%)
40
35
30
25
20
15
460
-15
Input Return Loss (dB)
Efficiency
Return Loss
-14
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
460
Efficiency
Output Power
20.8
20.7
20.6
-16
-17
20.4
20.3
Gain
-18
-19
-20
470
Gain
20.2
20.1
20
462
464
466
468
462
464
466
468
19.9
470
Frequency (MHz)
Frequency (MHz)
Power Sweep at selected I
DQ
V
DD
= 28 V, ƒ = 470 MHz
Power Sweep, CW Conditions
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA, ƒ = 470 MHz
22.0
21.5
21.0
20.5
22
21
80
70
60
Gain (dB)
Gain (dB)
20.0
19.5
19.0
18.5
18.0
17.5
17.0
39
41
43
I
DQ
= 1125 mA
I
DQ
= 900 mA
I
DQ
= 675 mA
20
19
18
17
16
15
Gain
50
40
30
Efficiency
T
CASE
= 25°C
T
CASE
= 90°C
39
41
43
45
47
49
51
53
55
20
10
45
47
49
51
53
55
Output Power (dBm)
Output Power (dBm)
Data Sheet
3 of 11
Rev. 01.1, 2010-01-20
Drain Efficiency (%)
Gain (dB)
20.5
PTFA041501E
PTFA041501F
Confidential, Limited Internal Distribution
Typical Performance
(cont.)
Intermodulation Distortion vs. Output Power
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 900 mA,
ƒ
1
= 469 MHz, ƒ
2
= 470 MHz
0
50
IM3 vs. Output Power at Selected Biases
V
DD
= 28 V , ƒ
1
= 469 MHz, ƒ
2
= 470 MHz
-25
-27
Intermodulation Distortion (dBc)
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
36
38
40
42
Efficiency
IM3
45
40
35
30
Drain Efficiency (%)
-29
IMD (dBc)
-31
-33
-35
-37
-39
-41
-43
36
38
675 mA
900 mA
1125 mA
IM5
IM7
44
46
48
50
25
20
15
10
40
42
44
46
48
50
Output Power (dBm), avg.
Output Power (dBm)
Output Power (at 1 dB compression)
vs. Supply Voltage
I
DQ
= 900 mA, ƒ = 470 MHz
55
1.03
Bias Voltage vs. Temperature
Voltage normalized to typical gate voltage,
series show current
0.29 A
0.88 A
1.47 A
2.20 A
4.41 A
6.61 A
8.81 A
11.02 A
Normalized Bias Voltage (V)
24
26
28
30
32
Output Power (dBm)
54
53
52
51
50
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
-20
0
20
40
60
80
100
Supply Voltage (V)
Case Temperature (°C)
Data Sheet
4 of 11
Rev. 01.1, 2010-01-20
PTFA041501E
PTFA041501F
Confidential, Limited Internal Distribution
Broadband Circuit Impedance
RD
G
Z Source
Z Load
-
W
AV
E
LE
NGTH
G
S
0.0
0.1
ARD
L
OA
D
-
HS
T
OW
ENGT
V
EL
470 MHz
450 MHz
Frequency
MHz
450
455
460
465
470
R
Z Source
Ω
jX
–3.20
–3.20
–3.10
–3.00
–2.90
0.88
0.84
0.84
0.84
0.83
Z Load
Ω
R
1.33
1.35
1.40
1.41
1.44
jX
0.22
0.31
0.38
0.47
0.57
Z Source
470 MHz
450 MHz
0. 1
See next page for circuit information
Data Sheet
5 of 11
WA
<---
Rev. 01.1, 2010-01-20
0.2
0. 1
D
S T
OW
A
Z
0
= 50
Ω
Z Load
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PTFA041501FV4R250相似产品对比

PTFA041501FV4R250 PTFA041501FV4 PTFA041501EV4 PTFA041501EV4R250
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-37248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-37248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-36248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-36248-2, 2 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V 65 V 65 V 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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热门器件

  1. HM2P09PK5111GFLF
  2. ASTMHTD-24.576MHZ-XK-E
  3. ABL-FREQ-R40-A-H5-G-F-V-P
  4. MS27469Y15D19PB
  5. AJ80C32-16:RD
  6. HTSHCR-230-D-04-167-H-LT
  7. ACASA264222642P100
  8. 135P-1891-AT601Q
  9. BZM55-C82D
  10. ZMM5244B-T/R
  11. A3961WVA-42P-V0-G
  12. GMI4022U-2C48DB

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