1N4148WS
1N4148WS
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2014-10-22
1.7
± 0 . 1
1
± 0 .1
Power dissipation – Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
75 V
~ SOD-323
0.005 g
0.3
±0 . 1
Type
Code
2.5
± 0 . 2
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
V
RSM
T
j
T
S
1 .25
± 0 .1
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
1N4148WS
200 mW
1
)
150 mA
1
)
300 mA
1
)
350 mA
1
)
1A
75 V
100 V
2
)
-55...+150°C
-55…+150°C
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Leakage current – Sperrstrom, T
j
= 125°C
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 150 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 0.75 V
< 1.0 V
< 1.25 V
< 25 nA
< 1 µA
< 30 µA
< 50 µA
2 pF
< 4 ns
< 620 K/W
1
)
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
1N4148WS
Marking - Stempelung
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
1N4148WS = W2
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
=
=
=
=
1N4148
LL4148
LS4148
MCL4148
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
T
j
= 25°C
I
F
10
-4
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[µA]
10
T
j
= 150°C
1
T
j
= 100°C
10
-1
I
R
T
j
= 25°C
10
-2
0
V
R
25
50
75 [V]
Reverse characteristics (typical values)
Sperrkennlinien (typische Werte)
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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