US1A ... US1M
US1A ... US1M
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-10-14
5
2.2
± 0.2
± 0.2
Nominal current – Nennstrom
2.1
± 0.2
1A
50...1000 V
~ SMA
~ DO-214AC
0.07 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1
2.7
± 0.2
± 0.3
0.15
Type
Typ
4.5
± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
US1A
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
US1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
1.5
±0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1A
6 A
1
)
30 A
4.5 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
Max. temperature of the terminals T
T
= 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse T
T
= 100°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
US1A ... US1M
Characteristics
Type
Typ
US1A...US1D
US1G
US1J...US1M
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
2
)
< 50
< 50
< 75
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
at / bei
I
F
[A]
< 1.0
< 1.25
< 1.7
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
thA
R
thT
1
1
1
< 5 µA
< 100 µA
< 70 K/W
3
)
< 30 K/W
120
[%]
100
10
[A]
1
US1A...D
80
US1G
US1J...M
60
0.1
40
10
-2
20
I
FAV
0
0
T
T
50
100
150
[°C]
I
F
10
-3
T
j
= 25°C
V
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
2
3
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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2
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