SB3H150
SB3H150
High Temperature Schottky Barrier Diodes
Hochtemperatur-Schottky-Dioden
Version 2014-01-22
Nominal current
Nennstrom
Ø 4.5
+0.1
-
0.3
3A
150 V
~ DO-201
1g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
Type
62.5
Ø 1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische / Spitzen Spitzensperrspannung
V
RRM
[V] / V
RSM
[V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 125°C
I
F
= 3A
SB3H150
150
typ. 0.63
T
A
= 75°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
7.5
±0.1
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 25°C
I
F
= 3A
< 0.82
3 A
1
)
15 A
2
)
100 A
50 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
S
T
j
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SB3H150
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 2µA
< 2mA
< 25 K/W
1
)
< 8 K/W
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
10
2
[A]
10
80
60
1
T
j
= 125°C
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
1
)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
T
j
= 25°C
I
F
10
-2
0
V
F
0.4
0.6
[V]
1.0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[µA]
10
2
T
j
= 125°C
T
j
= 100°C
10
T
j
= 50°C
1
I
R
10
-1
0
T
j
= 25°C
V
RRM
40
60
[%]
100
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
