MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT,MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT pdf中文资料,MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT引脚图,MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT电路-Datasheet-电子工程世界

MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT: 产品描述Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, FBGA-88; 产品类别存储存储; 文件大小183KB，共15页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT28C256564W18TFT-F605P706BTWT概述

Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, FBGA-88

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	88
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 8M X 16 FLASH
JESD-30 代码	R-PBGA-B88
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	88
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9 mm

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