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KMM5362000A1-10

产品描述Fast Page DRAM Module, 2MX36, 100ns, CMOS, SIMM-72
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文件大小324KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM5362000A1-10概述

Fast Page DRAM Module, 2MX36, 100ns, CMOS, SIMM-72

KMM5362000A1-10规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度75497472 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度31.75 mm
最大待机电流0.024 A
最大压摆率0.944 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

KMM5362000A1-10相似产品对比

KMM5362000A1-10 KMM5362000A1-7 KMM5362000A1-8 KMM5362000A1G-8 KMM5362000A1G-10 KMM5362000A1G-7
描述 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 100ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 100ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 2MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72
针数 72 72 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 70 ns 80 ns 80 ns 100 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 75497472 bi 75497472 bi 75497472 bi 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 36 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm
最大待机电流 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A
最大压摆率 0.944 mA 1.184 mA 1.064 mA 1.064 mA 0.944 mA 1.184 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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