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FR6A05

产品描述Silicon Fast Recovery Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小769KB,共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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FR6A05概述

Silicon Fast Recovery Diode

FR6A05规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流135 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流16 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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FR6A05 thru FR6GR05
Silicon Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 400 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-4 Package
V
RRM
= 50 V - 400 V
I
F
= 6 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
FR6A(R)05
50
35
50
16
135
-55 to 150
-55 to 150
FR6B(R)05
100
70
100
16
135
-55 to 150
-55 to 150
FR6D(R)05
200
140
200
16
135
-55 to 150
-55 to 150
FR6G(R)05
400
280
400
16
135
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 6 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 150 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
FR6A(R)05
1.4
25
6
FR6B(R)05
1.4
25
6
FR6D(R)05
1.4
25
6
FR6G(R)05
1.4
25
6
Unit
V
μA
mA
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
T
RR
500
500
500
500
nS
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
2.5
2.5
2.5
2.5
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/fast-recovery-rectifiers/
1

FR6A05相似产品对比

FR6A05 FR6D05
描述 Silicon Fast Recovery Diode Silicon Fast Recovery Diode
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 GeneSiC GeneSiC
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compli compli
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.4 V 1.4 V
JEDEC-95代码 DO-203AA DO-203AA
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 135 A 135 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 16 A 16 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 50 V 200 V
最大反向电流 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.5 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
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