BR1005: 产品描述10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小281KB，共3页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/

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BR1005概述

10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BR1005规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	GeneSiC
包装说明	R-PUFM-W4
Reach Compliance Code	compliant
最小击穿电压	50 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流	150 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	UPPER

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BR1005 thru BR104

Single Phase Silicon

Bridge Rectifier

Features

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• Types from 50 V up to 400 V V

RRM

• Not ESD Sensitive

BR-10 Package

RRM

= 50 V - 400 V

= 10 A

Mechanical Data

Case: Molded plastic body

Polarity: marked on the body

Mounting: Hole thru for #6 screw

Mounting position: Any

Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

RMS

stg

Conditions

BR1005

-55 to 150

BR101

100

-55 to 150

BR102

200

140

200

-55 to 150

BR104

400

280

400

-55 to 150

Unit

°C

Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified

Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load derate current by 20%

Parameter

Maximum average forward

rectified current

Peak forward surge current

Maximum instantaneous

forward voltage drop per bridge

element

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage

Symbol

FSM

ΘJA

Conditions

= 50 °C

= 8.3 ms, half sine

= 5.0 A

= 25 °C

= 100 °C

BR1005

150

1.1

1000

9.4

BR101

150

1.1

1000

9.4

BR102

150

1.1

1000

9.4

BR104

150

1.1

1000

Unit

μA

°C/W

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/

BR1005相似产品对比

	BR1005	BR101
描述	10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅
包装说明	R-PUFM-W4	R-PUFM-W4
Reach Compliance Code	compliant	compli
最小击穿电压	50 V	100 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PUFM-W4	R-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流	150 A	150 A
元件数量	4	4
相数	1	1
端子数量	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	10 A	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	50 V	100 V
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	UPPER	UPPER

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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