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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRF50060
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MBRF50060

产品描述Silicon Power Schottky Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小455KB，共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRF50060在线购买

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MBRF50060概述

Silicon Power Schottky Diode

MBRF50060规格参数

参数名称属性值
厂商名称GeneSiC
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.78 V
JEDEC-95代码TO-244AB
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流3500 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流250 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MBRF50045 thru MBRF500100R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 45 V to 100 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
TO-244AB Package
V
RRM
= 45 V - 100 V
I
F(AV)
= 500 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRF50045(R) MBRF50060(R) MBRF50080(R) MBRF500100(R)
45
32
45
-55 to 150
-55 to 150
60
42
60
-55 to 150
-55 to 150
80
57
80
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current
(per pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum forward voltage
(per leg)
Reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
= 125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 250 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRF50045(R) MBRF50060(R) MBRF50080(R) MBRF500100(R)
500
3500
0.75
1
10
50
0.30
500
3500
0.78
1
10
50
0.30
500
3500
0.84
1
10
50
0.30
500
3500
0.84
1
10
50
0.30
Unit
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction-
case (per leg)
R
ΘJC
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

MBRF50060相似产品对比

MBRF50060 MBRF500100 MBRF50045 MBRF50080 MBRF50045R MBRF50060R MBRF50080R
描述 Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode DIODE SCHOTTKY 45V 250A TO244AB DIODE SCHOTTKY 60V 250A TO244AB DIODE SCHOTTKY 80V 250A TO244AB
厂商名称 GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC
Reach Compliance Code compli compli compli compli compliant compliant compliant
应用 POWER POWER POWER POWER POWER POWER POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE ANODE ANODE ANODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.78 V 0.84 V 0.75 V 0.84 V 0.75 V 0.78 V 0.84 V
JEDEC-95代码 TO-244AB TO-244AB TO-244AB TO-244AB TO-244AB TO-244AB TO-244AB
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 3500 A 3500 A 3500 A 3500 A 3500 A 3500 A 3500 A
元件数量 2 2 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 250 A 250 A 250 A 250 A 250 A 250 A 250 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 60 V 100 V 45 V 80 V 45 V 60 V 80 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -

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