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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRF30060
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MBRF30060

产品描述Silicon Power Schottky Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小465KB，共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRF30060在线购买

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MBRF30060概述

Silicon Power Schottky Diode

MBRF30060规格参数

参数名称属性值
厂商名称GeneSiC
Reach Compliance Codecompliant
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-244AB
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流150 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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MBRF30045 thru MBRF300100R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 45 V to 100 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
TO-244AB Package
V
RRM
= 45 V - 100 V
I
F(AV)
= 300 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRF30045(R) MBRF30060(R) MBRF30080(R) MBRF300100(R)
45
32
45
-55 to 150
-55 to 150
60
42
60
-55 to 150
-55 to 150
80
57
80
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current
(per pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum forward voltage
(per leg)
Reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
= 125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 150 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRF30045(R) MBRF30060(R) MBRF30080(R) MBRF300100(R)
300
2000
0.70
1
10
30
300
2000
0.75
1
10
30
300
2000
0.84
1
10
30
300
2000
0.84
1
10
30
Unit
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction-
case (per leg)
R
ΘJC
0.40
0.40
0.40
0.40
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

MBRF30060相似产品对比

MBRF30060 MBRF300100
描述 Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode
Reach Compliance Code compliant compli
应用 POWER POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.75 V 0.84 V
JEDEC-95代码 TO-244AB TO-244AB
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 2000 A 2000 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 150 A 150 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 60 V 100 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1

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