Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRF200150

MBRF200150: 产品描述Silicon Power Schottky Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小474KB，共3页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/

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MBRF200150概述

Silicon Power Schottky Diode

MBRF200150规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	GeneSiC
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	POWER
外壳连接	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.88 V
JEDEC-95代码	TO-244AB
JESD-30 代码	R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流	1500 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	100 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	150 V
最大反向电流	1000 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER

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MBRF200150 thru MBRF200200R

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 150 V to 200 V V

RRM

• Not ESD Sensitive

TO-244AB Package

RRM

= 150 V - 200 V

F(AV)

= 200 A

Maximum ratings, at T

= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Parameter

Repetitive peak reverse

voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

RMS

stg

Conditions

MBRF200150(R)

150

106

150

-55 to 150

MBRF200200(R)

200

141

200

-55 to 150

Unit

°C

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Average forward current

(per pkg)

Peak forward surge

current (per leg)

Maximum forward voltage

(per leg)

Reverse current at rated

DC blocking voltage (per

leg)

Symbol

F(AV)

FSM

Conditions

= 125 °C

= 8.3 ms, half sine

= 100 A, T

= 25 °C

= 100 °C

= 150 °C

MBRF200150(R)

200

1500

0.88

MBRF200200(R)

200

1500

0.92

Unit

Thermal characteristics

Thermal resistance,

junction-case (per leg)

ΘJC

0.45

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/

MBRF200150相似产品对比

	MBRF200150	MBRF200200
描述	Silicon Power Schottky Diode	Silicon Power Schottky Diode
厂商名称	GeneSiC	GeneSiC
Reach Compliance Code	compliant	compli
应用	POWER	POWER
外壳连接	CATHODE	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.88 V	0.92 V
JEDEC-95代码	TO-244AB	TO-244AB
JESD-30 代码	R-PUFM-X2	R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流	1500 A	1500 A
元件数量	2	2
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	100 A	100 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	150 V	200 V
最大反向电流	1000 µA	1000 µA
表面贴装	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER

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