BRIDGE RECTIFIER DIODE
桥式整流二极管
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | GeneSiC |
| 包装说明 | R-PSIP-W4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 最小击穿电压 | 1000 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 180 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 6 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
| KBL610G | KBL608G | |
|---|---|---|
| 描述 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | GeneSiC | GeneSiC |
| 包装说明 | R-PSIP-W4 | R-PSIP-W4 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| 最小击穿电压 | 1000 V | 800 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 | R-PSIP-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 180 A | 180 A |
| 元件数量 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 最大输出电流 | 6 A | 6 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 800 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
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