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MBRTA40030RL

产品描述Low VF Silicon Power Schottky Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小445KB,共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRTA40030RL概述

Low VF Silicon Power Schottky Diode

MBRTA40030RL规格参数

参数名称属性值
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PUFM-X3
Reach Compliance Codecompliant
应用POWER
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JESD-30 代码R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流3000 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流200 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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MBRTA40030(R)L
Low V
F
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Type 30 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated Base Plate
• Not ESD Sensitive
Heavy Three Tower Package
V
RRM
= 30 V
I
F(AV)
= 400 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC bl ki voltage
M i
blocking lt
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRTA40030(R)L
30
21
30
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum instantaneous forward voltage (per
leg)
Maximum instantaneous reverse
current at rated DC blocking voltage
(per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
= 100 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 200 A, Tj = 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
MBRTA40030(R)L
400
3000
0.58
3
200
Unit
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
0.35
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

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