FR105G: 产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小63KB，共2页; 制造商Goodwork Semiconductor ( GW ); 官网地址http://www.goodwork.com.tw/

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FR105G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

FR105G规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Goodwork Semiconductor ( GW )
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.25 µs
表面贴装	NO

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FR101G

THRU

FR107G

1.0

AMP GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

50 to 1000 Volts

CURRENT

FEATURES

* Low forward voltage drop

* High current capability

* High reliability

* High surge current capability

* Glass passivated junction

1.0 Ampere

DO-41

.107(2.7)

.080(2.0)

DIA.

1.0(25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,

method 208 guranteed

* Polarity: Color band denotes cathode end

* Mounting position: Any

.034(.9)

.028(.7)

DIA.

.205(5.2)

.166(4.2)

1.0(25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=55 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Ta=100 C

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range T

, T

STG

NOTES:

FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G

UNITS

100

200

140

200

400

280

400

1.0

1.3

5.0

100

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

150

-65 +150

250

500

1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

166

FR105G相似产品对比

	FR105G	FR103G	FR106G	FR107G	FR101G	FR102G	FR104G
描述	1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	RECTIFIER DIODE,200V V(RRM),DO-41	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
最大重复峰值反向电压	600 V	200 V	800 V	1000 V	50 V	100 V	400 V
最大反向恢复时间	0.25 µs	0.15 µs	0.5 µs	0.5 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
厂商名称	Goodwork Semiconductor ( GW )	-	Goodwork Semiconductor ( GW )	Goodwork Semiconductor ( GW )	Goodwork Semiconductor ( GW )	Goodwork Semiconductor ( GW )	Goodwork Semiconductor ( GW )

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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