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SUD50P04-08

产品描述MOSFETs;-50A;-40V;DPAK/TO-252
文件大小206KB，共2页
制造商Inchange Semiconductor
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SUD50P04-08概述

MOSFETs;-50A;-40V;DPAK/TO-252

SUD50P04-08文档预览

INCHANGE Semiconductor
Isc P-Channel MOSFET Transistor
·FEATURES
·With
To-252(DPAK) package
·Low
input capacitance and gate charge
·Low
gate input resistance
·100%
avalanche tested
·Minimum
Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SUD50P04-08
·APPLICATIONS
·Switching
applications
·Motor
contorl
·DC-DC
conventers
·ABSOLUTE
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
SYMBOL
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
Tj
T
stg
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous Tc=25℃
Tc=70℃
Drain Current-Single Pulsed
Total Dissipation @T
C
=25℃
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
VALUE
-40
±20
-50
-50
-100
73.5
150
-55~150
UNIT
V
V
A
A
W
℃
℃
·THERMAL
CHARACTERISTICS
SYMBOL
Rth(ch-c)
Rth(ch-a)
PARAMETER
Channel-to-case thermal resistance
Channel-to-ambient thermal resistance
MAX
1.7
50
UNIT
℃/W
℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
1
isc & iscsemi
is registered trademark
INCHANGE Semiconductor
Isc P-Channel MOSFET Transistor
SUD50P04-08
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
C
=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
BV
DSS
PARAMETER
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Drain-Source On-Resistance
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source Leakage Current
Diode forward voltage
CONDITIONS
V
GS
=0V; I
D
= -0.25mA
V
DS
= V
GS
; I
D
=-0.25mA
V
GS
= -10V; I
D
=-22A
V
GS
=
±20V;V
DS
= 0V
V
DS
=-40V; V
GS
= 0V;Tc=25℃
Tc=125℃
I
SD
=-10A, V
GS
= 0 V
MIN
-40
-1.0
6.7
-2.5
8.1
TYP
MAX
UNIT
V
V
mΩ
V
GS
(th
)
R
DS(
on
)
I
GSS
I
DSS
V
SDF
±0.25
-1
-50
-1.5
μA
μA
V
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specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or
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isc website：www.iscsemi.cn
2
isc & iscsemi
is registered trademark
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