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GBU6J

产品描述6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小115KB,共3页
制造商ETC2
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GBU6J概述

6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU6J规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压600 V
最大平均输入电流6 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限12 W
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大非重复峰值正向电流175 A

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SGBU6D thru SGBU6M
Glass Passivated Single
Phase Bridge Rectifiers
Reverse Voltage
200 to 1000V
Forward Current
6.0 Amp
Features
Glass passivated die construction
Ideal for printed circuit boards
Plastic material used carries UL
flammability recognition 94V-0
High surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
265
/10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead
length, 5lbs. (2.3kg) tension
Circuit
Mechanical Data
Case:
Molded plastic case
Terminals:
Plated leads solderable per
-
V
RRM
200V
400V
600V
800V
1000V
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
Marked on Body
Mounting Position:
Any
Module Type
TYPE
GBU6D
GBU6G
GBU6J
GBU6K
GBU6M
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(TA = 25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Conditions
Values
Maximum average forward output rectified current Tc =100℃
6.0
(1)
I
F(AV)
I
FSM
i
2
t
Visol
R
θJA
R
θJC
T
j
, T
STG
Weight
Electrical Characteristics
(TA = 25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Conditions
V
F
I
R
Notes:
Maximum Instantaneous Forward Voltage per leg
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage per leg
I
FM
=3.0A
T
A
= 25℃
T
A
= 125℃
(1) Heat sink, T
C
mouting-4x4x0.15cm thick copper plate
(2) Junction to ambient without heatsink
(3) Junction to case with heatsink
(4) Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for
maximum heat transfer with M3 screw
www.
smsemi.com
1
Document Number: GBU6D thru GBU6M
Jun.25, 2010
+
V
RSM
300V
500V
700V
900V
1100V
Units
A
A
Peak forward surge current single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Rating for fusing (t<8.3ms)
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
Maximum thermal resistance per leg
Operating Junction and storage temperature range
Approximate Weight
120
60
2500
A
2
s
V
22
(2)
4.2
(3)
-55 to +150
4.0
℃/W
g
Values
1.1
5.0
500
Units
V
µA

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GBU6J GBU6D SGBU6D GBU6G GBU6K
描述 6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

 
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