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THM91002L-85

产品描述MEMORY MODULE,DRAM,STATIC COL,1MX(8+1),CMOS,SIP,30PIN,PLASTIC
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文件大小670KB,共12页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THM91002L-85概述

MEMORY MODULE,DRAM,STATIC COL,1MX(8+1),CMOS,SIP,30PIN,PLASTIC

THM91002L-85规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明, SIP30,.2
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-609代码e0
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度9
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SIP30,.2
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度22.86 mm
最大待机电流0.009 A
最大压摆率0.63 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
模块例化端口问题
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