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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5822/TR
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1N5822/TR

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5822/TR概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN

1N5822/TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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• 1N5822 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/620
• 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
• HERMETICALLY SEALED
• METALLURGICALLY BONDED
1N5822
and
DSB5820 thru DSB5822
and
DSB3A20 thru DSB3A40
MAXIMUM RATINGS
0.115/0.145
Operating Temperature: -65°C to +125°C
Storage Temperature: -65°C to +150°C
Average Rectified Forward Current: 3.0 AMP @ TL = +55°C, L = 3/8”
Derating: 43 mA / °C above TL = +55°C, L = 3/8”
2.92/3.68
0.130/0.195
3.30/4.95
0.900
22.86
0.036/0.042
0.91/1.07
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
CDI
TYPE
NUMBER
WORKING PEAK
REVERSE
VOLTAGE
VRWM
VOLTS
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE
VF @ 1.0 A
VOLTS
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
VF @ 3.0 A
VOLTS
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
VF @ 9.4A
VOLTS
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
AT RATED VOLTAGE
IR @ +25°C
mA
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
IR @ +100°C
mA
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed, “B” Body
per MIL-PRF-19500/620. D-5B
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC): 30
°
C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 3
°
C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any
DSB5820
DSB5821
DSB5822
J,JX,JV & JS
5822
DSB3A20
DSB3A30
DSB3A40
20
30
40
40
20
30
40
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
67

1N5822/TR相似产品对比

1N5822/TR 055U2R2M251PT-B
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000022uF, 0606,
是否Rohs认证 不符合 符合
包装说明 HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN , 0606
Reach Compliance Code compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e4
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -55 °C
封装形式 LONG FORM SMT
端子面层 TIN LEAD Palladium/Silver (Pd/Ag)

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