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RJS6004TDPP-EJ_15

产品描述600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode
文件大小69KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJS6004TDPP-EJ_15概述

600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode

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Preliminary
Datasheet
RJS6004TDPP-EJ
600V - 10A - Diode
SiC Schottky Barrier Diode
Features
New semiconductor material: Silicon Carbide Diode
No reverse recovery / No forward recovery
R07DS0896EJ0300
Rev.3.00
Jan 23, 2014
Outline
RENESAS Package code: PRSS0002ZA-A
(Package name: TO-220FP-2L)
1
1. Cathode
2. Anode
2
1
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Peak surge forward current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
I
F
I
FSM
Tj
Tstg
Ratings
600
10
60
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Symbol
V
F
I
R
t
rr
Min
Typ
1.5
15
Max
1.8
10
Unit
V
μA
ns
Test conditions
I
F
= 10 A
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, di/dt = 300 A/μs
R07DS0896EJ0300 Rev.3.00
Jan 23, 2014
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