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RJP65S04DWT_15

产品描述650V - 50A - IGBT Application: Inverter
文件大小63KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJP65S04DWT_15概述

650V - 50A - IGBT Application: Inverter

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Datasheet
RJP65S04DWT / RJP65S04DWA
650V - 50A - IGBT
Application: Inverter
Features
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
= 1.5 V typ. (at I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V, Ta = 25°C)
High speed Switching
Short circuit withstands time (10
μs
min.)
R07DS0821EJ0300
Rev.3.00
Oct 20, 2014
Outline
Die: RJP65S04DWT-80
2
C
3
1G
1
Wafer: RJP65S04DWA-80
2
1. Gate
2. Collector (The back)
3. Emitter
E
3
3
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25°C unless otherwise noted)
Item
Collector to emitter voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
C
Tj
Ratings
650
±30
100
50
175
Note1
Unit
V
V
A
A
°C
Notes: 1. Please use this device in the thermal conditions where the junction temperature does not exceed 175°C.
IGBT Application Note is disclosed about reliability test and application condition up to Tj = 175°C.
R07DS0821EJ0300 Rev.3.00
Oct 20, 2014
Page 1 of 3
请问这种写法是什么意思哦 谢谢
static void (*_pfP0P1Callback)(uint32_t u32P0Status, uint32_t u32P1Status);static void (*_pfP2P3P4Callback)(uint32_t u32P2Status, uint32_t u32P3Status, uint32_t u32P4Status);static ......
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