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MCM6264WP55

产品描述IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
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文件大小426KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MCM6264WP55概述

IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC

MCM6264WP55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度36.83 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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