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1N5817T50A

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N5817T50A概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

1N5817T50A规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散1.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5817-1N5819
1N5817 - 1N5819
Features
1.0 ampere operation at T
A
= 90°C
with no thermal runaway.
For use in low voltage, high
frequency inverters free
wheeling, and polarity
protection applications.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Schottky Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
.375 " lead length @ T
A
= 90°C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
20
Value
1N5817 1N5818
30
1.0
1N5819
40
Units
V
A
25
-65 to +125
-65 to +125
A
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Parameter
Value
1.25
80
Units
W
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
R
C
T
Forward Voltage
Reverse Current @ rated V
R
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
@ 1.0 A
@ 3.0 A
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
450
750
Device
1N5817 1N5818
550
875
0.5
10
110
1N5819
600
900
Units
mV
mV
mA
mA
pF
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
1N5817-1N5819, Rev. C
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