SI9926DY: 产品描述6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小466KB，共2页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

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SI9926DY概述

6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 通道, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SI9926DY规格参数

参数名称	属性值
最小击穿电压	20 V
端子数量	8
加工封装描述	SO-8
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
结构	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大漏电流	6.5 A
最大漏极导通电阻	0.0300 ohm
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jesd_30_code	R-PDSO-G8
jesd_609_code	e3
moisture_sensitivity_level	1
元件数量	2
操作模式	ENHANCEMENT MODE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_	260
larity_channel_type	N-CHANNEL
最大漏电流脉冲	20 A
qualification_status	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子涂层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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SMD Type

Dual N-Channel MOSFET

MOSFET

SI9926DY

■

Features

●

DS(on)

≤

0.032

@ V

= 4.5 V

●

DS(on)

≤

0.045

@ V

= 2.5 V.

(KI9926DY)

TSSOP-8

6.45

+0.1

-0.1

4.45

+0.1

-0.1

Unit: mm

0.15

+0.03

-0.03

1 : Drain1

2 : Source1

3 : Source1

4 : Gate1

5 : Gate2

6 : Source2

7 : Source2

8 : Drain2

■

Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Maximum Power Dissipation

= 25℃

= 70℃

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient

Jumction temperature and Storage temperature

Symbol

θJA

stg

Rating

±10

6.5

1.25

0.8

100

-55 to +150

Unit

℃/W

℃

www.kexin.com.cn

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