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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5407
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1N5407

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小72KB，共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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1N5407概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400 – 1N5408
3.0A Axial Leaded Rectifier
Features
!
!
!
!
!
Diffused Junction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
A
B
A
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 1.2 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
D
DO-201AD
Dim
Min
Max
A
25.4
—
B
8.50
9.50
C
1.20
1.30
D
5.0
5.60
All Dimensions in mm
C
!
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
1N
5400
50
35
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
A
= 75°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
1N
5401
100
70
1N
5402
200
140
1N
5404
400
280
3.0
1N
5406
600
420
1N
5407
800
560
1N
5408
1000
700
Unit
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
JA
T
j
T
STG
200
1.0
5.0
100
50
18
-65 to +125
-65 to +150
A
V
µA
pF
K/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
(Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
*Glass passivated forms are available upon request
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
1of2

1N5407相似产品对比

1N5407 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406
描述 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
端子数量 - 2 2 2 2 2
元件数量 - 1 1 1 1 1
加工封装描述 - 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 绿色, 塑料 PACKAGE-2 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN
状态 - ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE DISCONTINUED
包装形状 - 圆 圆 圆 圆 圆
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 - 线 线 线 线 线
端子涂层 - MATTE 锡 锡 锡 铅 PURE 锡 MATTE 锡
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 - 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料 - 硅 硅 硅 硅 硅
二极管类型 - 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE EFFICIENCY GENERAL PURPOSE
相数 - 1 1 1 1 1
最大重复峰值反向电压 - 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V
最大平均正向电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A

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