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RB721Q

产品描述0.03 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小160KB,共1页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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RB721Q概述

0.03 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34

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RB721Q
30mA Axial Leaded Schottky Barrier Diodes
Features
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
Case:
DO-35 Glass Case
·
Weight:
approx. 0.11g
Dim
A
B
C
D
DO-35
Min
25.40
¾
¾
¾
Max
¾
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
TYPE
RB721Q
TYPE
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
V
RM
(V)
25
V
FMAX
(v)
@I
F
=1mA
0.37
V
R
(V)
20
I
O
(mA)
30
I
RMax
(µA)
@ V
R
=25V
1.0
I
FSM
(mA)
200
T
j
(°C)
125
C
t
(pF)
TYPE
T
stg
(°C)
-40~+125
RB721Q
@ V
R
=1V f =2.0MHz
2.0
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