512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 42.037 mm |
| 内存密度 | 524288 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.715 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |
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