PHD27NQ10T,PHD27NQ10T pdf中文资料,PHD27NQ10T引脚图,PHD27NQ10T电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PHD27NQ10T

PHD27NQ10T: 产品描述28A, 100V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小116KB，共12页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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PHD27NQ10T概述

28A, 100V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

PHD27NQ10T规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	128 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	28 A
最大漏极电流 (ID)	28 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	112 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PHD27NQ10T相似产品对比

	PHD27NQ10T	PHD27NQ10T/T3	934055809118	934055810118	934055811127
描述	28A, 100V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	28A, 100V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	PLASTIC, SMD, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	128 mJ	128 mJ	128 mJ	128 mJ	128 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	28 A	28 A	28 A	28 A	28 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	112 A	112 A	112 A	112 A	112 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
针数	-	-	3	3	3

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