MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N168 |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 25.4 mm |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.016 A |
| 最大压摆率 | 1.52 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| MB644CT00TADG70 | MB644CT00TADG60 | |
|---|---|---|
| 描述 | MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC | MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 70 ns | 60 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N168 | R-PDMA-N168 |
| 内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 |
| 端子数量 | 168 | 168 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX64 | 4MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 | 2048 |
| 座面最大高度 | 25.4 mm | 25.4 mm |
| 自我刷新 | NO | NO |
| 最大待机电流 | 0.016 A | 0.016 A |
| 最大压摆率 | 1.52 mA | 1.76 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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