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MB644CT00TADG70

产品描述MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
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文件大小2MB,共31页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MB644CT00TADG70概述

MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC

MB644CT00TADG70规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明DIMM, DIMM168
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N168
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.016 A
最大压摆率1.52 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

MB644CT00TADG70相似产品对比

MB644CT00TADG70 MB644CT00TADG60
描述 MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC MEMORY MODULE,DRAM,EDO,4MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 70 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168
内存密度 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64
端子数量 168 168
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO
最大待机电流 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 1.52 mA 1.76 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
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