IC 128K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | WDIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.969 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| NM27C010QM200 | NM27C010T90 | NM27C010QM150 | NM27C010VE100 | NM27C010QE100 | NM27C010NE200 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 128K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM | IC 128K X 8 OTPROM, 90 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32, Programmable ROM | IC 128K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM | IC 128K X 8 OTPROM, 100 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | IC 128K X 8 UVPROM, 100 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM | IC 128K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | WDIP, DIP32,.6 | 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 | WDIP, DIP32,.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | WDIP, DIP32,.6 | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 90 ns | 150 ns | 100 ns | 100 ns | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 | R-PDSO-G32 | R-GDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-GDIP-T32 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | OTP ROM | UVPROM | OTP ROM | UVPROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | WDIP | TSOP1 | WDIP | QCCJ | WDIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | TSSOP32,.8,20 | DIP32,.6 | LDCC32,.5X.6 | DIP32,.6 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | IN-LINE, WINDOW | CHIP CARRIER | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.969 mm | 1.2 mm | 5.969 mm | 3.55 mm | 5.969 mm | 4.83 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 0.5 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 8 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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