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IRFZ34N-011

产品描述Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRFZ34N-011概述

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

IRFZ34N-011规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)26 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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