MCM36B3212,MCM36B3212 pdf中文资料,MCM36B3212引脚图,MCM36B3212电路-Datasheet-电子工程世界

MCM36B3212: 产品描述32KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 12ns, DMA80; 产品类别存储存储; 文件大小65KB，共2页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MCM36B3212概述

32KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 12ns, DMA80

MCM36B3212规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER
JESD-30 代码	R-XDMA-N80
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	80
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	32KX36
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

MCM36B3212相似产品对比

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描述	32KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 12ns, DMA80	SRAM Module, 64KX36, 24ns, CMOS	32KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 24ns, DMA80	32KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 14ns, DMA80	SRAM Module, 32KX36, 19ns, CMOS	SRAM Module, 64KX36, 12ns, CMOS	64KX36 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 14ns, DMA80	SRAM Module, 64KX36, 19ns, CMOS
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	24 ns	24 ns	14 ns	19 ns	12 ns	14 ns	19 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER
JESD-30 代码	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80	R-XDMA-N80
内存密度	1179648 bit	2359296 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	80	80	80	80	80	80	80	80
字数	32768 words	65536 words	32768 words	32768 words	32768 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	32000	64000	32000	32000	32000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	32KX36	64KX36	32KX36	32KX36	32KX36	64KX36	64KX36	64KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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