256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | REVERSE, TSOP-32 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.4 mm |
内存密度 | 262144 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1-R |
封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
反向引出线 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 8 mm |
Base Number Matches | 1 |
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