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GBU806C2G

产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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GBU806C2G概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

GBU806C2G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC, GBU, 4 PIN
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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GBU801 thru GBU807
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength of 1500 VRMS
- High surge current capability
- Typical IR less than 0.1μA
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
GBU
MECHANICAL DATA
Case:
GBU
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Polarity:
As marked
Weight:
4 g (approximately)
o
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
I
F
= 4 A
I
F
= 8 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
GBU
801
50
35
50
GBU
802
100
70
100
GBU
803
200
140
200
GBU
804
400
280
400
8
200
166
1.0
1.1
5
500
GBU
805
600
420
600
GBU
806
800
560
800
GBU
807
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
I
R
Cj
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
211
μA
94
pF
O
Typical junction capacitance per leg (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
2
21
- 55 to +150
- 55 to +150
C/W
O
O
C
C
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Document Number: DS_D1409017
Version: I14

GBU806C2G相似产品对比

GBU806C2G GBU806C2
描述 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 GREEN, PLASTIC, GBU, 4 PIN ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, 4 PIN
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 800 V 800 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 800 V 800 V
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE

 
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