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GBU601_15

产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小200KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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GBU601_15概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

GBU601_15规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBU601 thru GBU607
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength of 1500 VRMS
- High surge current capability
- Typical IR less than 0.1μA
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- AEC-Q101 qualified
GBU
MECHANICAL DATA
Case:
GBU
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Polarity:
As marked
Weight:
4 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
I
F
= 3 A
I
F
= 6 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25 °C
T
J
=125 °C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
GBU
601
50
35
50
GBU
602
100
70
100
GBU
603
200
140
200
GBU
604
400
280
400
6
175
127
1.0
1.1
5
500
211
2
21
- 55 to +150
- 55 to +150
94
GBU
605
600
420
600
GBU
606
800
560
800
GBU
607
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
I
R
C
J
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
μA
pF
°C/W
°C
°C
Typical junction capacitance per leg (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Document Number: DS_D1410053
Version: J14

GBU601_15相似产品对比

GBU601_15 GBU606C2 GBU606C2G
描述 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, 4 PIN GREEN, PLASTIC, GBU, 4 PIN
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 - 800 V 800 V
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON
JESD-30 代码 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
JESD-609代码 - e3 e3
最大非重复峰值正向电流 - 175 A 175 A
元件数量 - 4 4
相数 - 1 1
端子数量 - 4 4
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C
最大输出电流 - 6 A 6 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
参考标准 - AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 - 800 V 800 V
表面贴装 - NO NO
端子面层 - MATTE TIN PURE TIN
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE

 
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