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AM28F256-120EIB

产品描述256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小254KB,共35页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM28F256-120EIB概述

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory

AM28F256-120EIB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性BULK ERASE
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1

 
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