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IRFR2307Z

产品描述MOSFETs;53A;75V;DPAK/TO-252
文件大小242KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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IRFR2307Z概述

MOSFETs;53A;75V;DPAK/TO-252

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isc N-Channel MOSFET Transistor
·FEATURES
·Static
drain-source on-resistance:
R
DS
(on)≤16mΩ
·Enhancement
mode:
·100%
avalanche tested
·Minimum
Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·High
Speed Power Switching
·ABSOLUTE
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
SYMBOL
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
T
stg
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Single Pulsed
Total Dissipation @T
C
=25℃
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
VALUE
75
±20
53
210
110
175
-55~175
IRFR2307Z, IIRFR2307Z
UNIT
V
V
A
A
W
·THERMAL
CHARACTERISTICS
SYMBOL
Rth(j-c)
Rth(j-a)
PARAMETER
Channel-to-case thermal resistance
Channel-to-ambient thermal resistance
MAX
1.42
110
UNIT
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1
isc & iscsemi is registered trademark
isc N-Channel MOSFET Transistor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
C
=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
BV
DSS
PARAMETER
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
CONDITIONS
V
GS
=0V; I
D
=250μA
IRFR2307Z, IIRFR2307Z
MIN
75
2
TYP
MAX
UNIT
V
V
GS
(th
)
V
DS
=V
GS
; I
D
=100μA
V
GS
=10V; I
D
=32A
4
V
R
DS(
on
)
Drain-Source On-Resistance
16
I
GSS
I
DSS
V
SD
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source Leakage Current
Diode forward voltage
V
GS
=
±20V
V
DS
=75V; V
GS
= 0V
I
s
=32A, V
GS
= 0V
±0.2
μA
25
1.3
μA
V
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isc website:www.iscsemi.cn
2
isc & iscsemi is registered trademark
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