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SGH23N60UFD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小227KB,共7页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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SGH23N60UFD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

SGH23N60UFD规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)23 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)280 ns
门极发射器阈值电压最大值7.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)155 ns
标称接通时间 (ton)32 ns

 
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