电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AM28F020A-200EE

产品描述2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
产品类别存储    存储   
文件大小230KB,共35页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
下载文档 详细参数 全文预览

AM28F020A-200EE概述

2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

AM28F020A-200EE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
其他特性100K WRITE/ERASE CYCLES MIN
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1

推荐资源

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 326  535  781  1076  1447 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved