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CBR6M-L080: 产品描述6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小471KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CBR6M-L080概述

6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR6M-L080规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	CASE DM, 4 PIN
针数	4
制造商包装代码	CASE DM
Reach Compliance Code	_compli
最小击穿电压	800 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSFM-W4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向电流	10 µA
反向测试电压	800 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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CBR6M-L010 SERIES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR6M-L010 series

types are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose, high current applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE DM

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL -L010

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

DC Blocking Voltage

100

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TC=100°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL

SYMBOL

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

-L020

200

140

CBR6M

-L040 -L060

400

600

400

280

6.0

200

-65 to +150

3.5

600

420

-L080

800

560

-L100

1000

700

UNITS

°C

°C/W

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TC=100°C

200

IF=6.0A

1.1

UNITS

μA

R1 (11-October 2013)

CBR6M-L080相似产品对比

	CBR6M-L080	CBR6M-L010	CBR6M-L020	CBR6M-L060	CBR6M-L040
描述	6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	CASE DM, 4 PIN	CASE DM, 4 PIN	CASE DM, 4 PIN	CASE DM, 4 PIN	CASE DM, 4 PIN
针数	4	4	4	4	4
制造商包装代码	CASE DM	CASE DM	CASE DM	CASE DM	CASE DM
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli
最小击穿电压	800 V	100 V	200 V	600 V	400 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	100 V	200 V	600 V	400 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA
反向测试电压	800 V	100 V	200 V	600 V	400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

CBR6M-L080

CBR6M-L080概述

CBR6M-L080规格参数

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