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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

3 A, 40 V, 硅, 整流二极管, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Average Forward Current
Peak Forward Surge Current

1N5822相似产品对比

1N5822 1N5820 1N5821
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V 0.85 V 0.9 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A 80 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 20 V 30 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
Base Number Matches 1 1 -
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