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IXTH86N25T: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小173KB，共5页; 制造商IXYS; 标准

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IXTH86N25T概述

Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

IXTH86N25T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IXYS
零件包装代码	TO-247AD
包装说明	TO-247AD, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	86 A
最大漏源导通电阻	0.037 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	190 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IXTH86N25T相似产品对比

	IXTH86N25T	IXTQ86N25T	IXTV86N25T
描述	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	TO-247AD, 3 PIN	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1500 mJ	1500 mJ	1500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (ID)	86 A	86 A	86 A
最大漏源导通电阻	0.037 Ω	0.037 Ω	0.037 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e1	e3	e1
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	190 A	190 A	190 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	IXYS	-	IXYS
零件包装代码	TO-247AD	TO-3P	-

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