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CMUT3410_15

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW SILICON TRANSISTORS
文件大小339KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMUT3410_15概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW SILICON TRANSISTORS

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CMUT3410 NPN
CMUT7410 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3410, and
CMUT7410, are low VCE(SAT) silicon transistors in
an ULTRAmini™ surface mount package designed for
small signal general purpose amplifier and switching
applications, requiring low collector emitter saturation
voltage.
MARKING CODES: CMUT3410: C43
CMUT7410: C47
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.5
250
-65 to +150
500
PNP
TYP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100µA
6.0
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
25
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
40
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
80
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
190
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
290
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
360
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
125
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT3410)
6.0
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT7410)
MAX
100
100
30
50
95
205
320
400
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
75
10
15
MHz
pF
pF
10
R2 (1-August 2011)
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