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2N6053: 产品描述COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小124KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

	2N6053	2N6054
描述	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
零件包装代码	TO-204AA	TO-204AA
包装说明	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN
针数	2	2
Reach Compliance Code	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A	8 A
集电极-发射极最大电压	60 V	80 V
配置	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750	750
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	100 W	100 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	4 MHz	4 MHz
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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