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2N2218

产品描述800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小757KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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2N2218概述

800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD

2N2218规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-39
包装说明TO-39, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.8 W
最大功率耗散 (Abs)3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns
VCEsat-Max1.6 V
Base Number Matches1

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